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快速退火爐

  • 快速退火爐
快速退火爐

快速退火爐

產品簡介:


     REAL RTP100型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款4寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現真正的基底溫度測量,不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償,溫度控制精確,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇。

 

n 技術特色:

 

真正的基片溫度測量,無需傳統的溫度補償

紅外鹵素管燈加熱

極其優異的加熱溫度精確性與均勻性

快速數字PID溫度控制

不銹鋼冷壁真空腔室

系統穩定性好

結構緊湊,小型桌面系統

帶觸摸屏的PC控制

兼容常壓和真空環境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

最高3路氣體(MFC控制)

沒有交叉污染,沒有金屬污染

 

n 技術介紹:

 

       如上圖,由陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,傳統的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實的溫度,必須進行溫度補償。

     REAL RTP100型快速退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫,如上圖,熱電偶測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進行熱量傳遞,并很快達到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度,從而實現基片溫度的真實測量。

 

n 主要技術參數:

 

基片尺寸:4英寸

基片基座:石英針(可選配SiC涂層石墨)

溫度范圍:150-1250℃

加熱速率:10-200℃/S

溫度均勻性:≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

 ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度:≤ ±3℃

溫度重復性:≤ ±3℃

真空度:5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應:標準1N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(最多可選3路)

退火持續時間:≥35min@1250℃

溫度控制:快速數字PID控制

尺寸:870mm*650mm*620mm

 

n基片類型:

 

Silicon wafers硅片

Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LEDGaN/藍寶石基片

Silicon carbide wafers碳化硅基片

Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

Glass substrates玻璃基片

Metals金屬

Polymers聚合物

- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

n應用領域:

    離子注入/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN),可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介電材料,晶體化,致密化,太陽能電池片鍵合等。



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